Systemspezifische Si-Leistungsbauelemente

Die anwendungsspezifische Optimierung leistungs-elektronischer Systeme z.B. nach Effizienz, Leistungs-dichte, Zuverlässigkeit und Kosten wird bauelemente-seitig erreicht durch die Trade-Off Einstellung hinsichtlich der Durchlass- und Schaltverluste, der Robustheit sowie weiterer bauelementespezifischer Parameter. Hierzu gehört auch die Wahl einer geeigneten Vorder- und Rückseitenmetallisierung (z.B. Au, Ag, Pt) für neue Assemblierungstechniken sowie ein angepasstes Chipdesign in Bezug auf die Pad-Konfiguration oder die Auslegung der Aktivfläche. Die technologische Herstellung der Bauelemente erfolgt mittels einer qualifizierten Produktionstechnologie für Leistungs-bauelemente und kann bei hochvolumiger Nachfrage an den Industriepartner Vishay übertragen werden.

 

Eigenschaften

 

-         FS-IGBT, 600/650V-1200V, 10A-240A

 

-         PT-IGBT, 600/650V, 10A-240A

 

-         Sinter- und lötfähige Vorder- und Rückseitenmetallisierung

 

-         Layoutanpassung auf Wunsch

 

-         Integrierter Gatevorwiderstand

 

-         Integrierte Temperatur- und Stromsensorik

 

Kontakt:

Detlef Friedrich

Telefon  +49  4821 17-4301

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Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie

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