Menschen.Machen.Mikroelektronik / Fraunhofer IPMS

Neue Fähigkeiten in der Prozessierung für die nächste Generation der MEMS und MOEMS

Fritz Herrmann, Technical Sales Manager am Fraunhofer IPMS, berichtet in seinem Interview über die neue Fähigkeit des Instituts, »intelligent BSOI Wafer« herzustellen. Damit lassen sich MEMS und MOEMS mit anspruchsvollen Eigenschaften realisieren, die mit konventionellen Fertigungsansätzen und Technologiekonzepten kaum möglich sind.

© Fraunhofer IPMS
Fritz Herrmann.
© Fraunhofer IPMS
Neben seiner Arbeit als Technical Sales Manager hält Fritz Herrmann auch regelmäßig Fachvorträge für das Fraunhofer IPMS.

Herr Herrmann, was bedeutet »intelligent BSOI«?

BSOI steht für »bonded silicon on insulator« und bezeichnet einen speziellen Waferaufbau, welcher als Ausgangsmaterial unter anderem für moderne MEMS-Technologien (MEMS = Micro-Electro-Mechanical-Systems) zur Anwendung kommt. Der Aufbau eines BSOI-Wafer besteht grundlegend aus einem »Handlewafer« auf dem eine Oxidschicht abgeschieden ist. Die oberste, abschließende Schicht, der sogenannte »Device Layer«, ist eine angepasste Schicht, welche in diversen Technologien zur Anwendung kommt, auch über den MEMS-Bereich hinaus

Wofür ist das nützlich? 

Die Nachfrage an BSOI-Wafern steigt jährlich. Vor allem im MEMS-Bereich deswegen, weil anspruchsvolle Sensoren diese Wafer als Ausgangsmaterial benötigen. Dabei werden die Device Layer derzeit typischerweise mit unterschiedlichen Dicken, Materialien oder Dotierungen angeboten. Das Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS möchte nun mit seiner langjährigen Erfahrung im Bereich der Waferbearbeitung Features wie vergrabene Leiterbahnen oder Kavitäten zu den Device Layern hinzufügen, um die Kundenanforderungen noch individueller zu adressieren und einen Schritt weiterzugehen. Nicht zuletzt dadurch soll das Marktangebot an standardisierten BSOI-Wafern erweitert werden.

Wie konnte die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland dabei unterstützen?

Durch die Unterstützung der FMD konnten wir einen sogenannten »Grinder« beschaffen, der für das Abdünnen der Wafer genutzt wird um die Zieldicken der Device Layer einzustellen. Zudem haben wir durch die FMD eine 5-Zonen-CMP erhalten, die die Oberflächen planarisiert und so die Wafer zunächst fürs Bonden und anschließend auch für eine produktive Substratbearbeitung final präpariert. Wir sind sehr stolz, dass wir im Rahmen der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland diese zwei Anlagen zur Verfügung gestellt bekommen haben, die uns nun befähigen, intelligente BSOI-Wafer zu fertigen.

 

Fritz Hermann hat in Dresden Wirtschaftsingenieurwesen studiert. Nach einem Praktikum bei BMW zog es ihn zur Fraunhofer-Gesellschaft. Er startete als wissenschaftlicher Mitarbeiter beim Fraunhofer IWS. Die Freude an der Halbleiterei und der Kontakt zu Industriekunden zog ihn ans Fraunhofer IMPS, wo er inzwischen seit zweieinhalb Jahren als Technical Sales Manager arbeitet. Hier ist er zuständig für Akquise und Projektplanung. Gleichzeitig leitet er eigene Projekte, vertritt das Institut bei Messen, hält Fachvorträge und freut sich gleichzeitig immer auf jeden Tag, den er im Reinraum verbringen kann.

Letzte Änderung: