Projekt »IsoGap« gestartet

15.2.2019

© Fraunhofer IISB

Beschichtung in doppelseitig aufgebauten Modulen.

Im Rahmen der BMBF-Fördermaßnahme zur Internationalisierung von Spitzenclustern koordiniert der Cluster Leistungselektronik eine Forschungskooperation zwischen Cluster- Akteuren und einem Industriekonsortium der Universität Osaka in Japan. Im Projekt IsoGap geht es um Hochtemperatur-Materialien und Zuverlässigkeitstests für die neue Generation der Wide-Bandgap-Leistungselektronik. Mit Partnern aus Industrie und Forschung entwickelt das Fraunhofer IISB dabei hochtemperaturfähige, korrosionsbeständige und spaltgängige Schichten für leistungselektronische Module. Zum Einsatz kommen die Beschichtungen beispielsweise in doppelseitig aufgebauten Modulen, bei denen ein Vergießen mit Silikon aufgrund der Strukturen nur schwer möglich ist.