Praxiskurs: Wide-Bandgap-Halbleiter

Halbleiter mit breitem Bandabstand (Wide Band Gap, WBG) stellen den nächsten Schritt in der Evolution der Leistungselektronik dar. Siciliumcarbid- und Galliumnitrid-basierte Systeme werden durch das European Center for Power Electronics e.V. (ECPE) und seine japanischen Partner entwickelt. Dieser Praxiskurs begann als Teil des CLINT-WPE-Projekts und fördert den Wissensaustausch unter Entwicklern von SiC- und GaN-Systemen.

Eine effiziente Systemintegration ist unabdingbar, um das gesamte Potenzial von WBG-Halbleitern auszunutzen. Entwickler von Leistungselektronik müssen dabei bedenken, dass hohe Schaltfrequenzen und Leistungsdichten besondere Anforderungen an alle Komponenten der betroffenen Systeme stellen.

Der zweitätige Kurs deckt alle Perspektiven der Systemintegration von WBG-Halbleitern ab, von der Wahl geeigneter Halbleiterkomponenten, über verschiedene Designansätze bis hin zu Lösungen für Parasitäreffekte, EMV und Induktivität bei hochfrequenten Schaltungen. Weiterhin werden die Teilnehmer an Prüfmethoden für elektrische Tests von neuen Leistungshalbleiterkomponenten und für Robustheits- und Zuverlässigkeitstests einzelner Module und ganzer Systeme herangeführt.
 

Weitere Informationen und Anmeldung