Fraunhofer-Verbund Mikroelektronik

Die DFG-Forschungsgruppe »BATS – Betriebs-Adaptive Tracking Sensornetze«, an der auch das Fraunhofer IIS beteiligt war, hat ein Trackingsystem für Fledermäuse entwickelt.

Forschenden am Fraunhofer IAF ist es gelungen, eine neue Art von Transistoren mit extrem hohen Grenzfrequenzen zu entwickeln: Metalloxidhalbleiter-HEMTs, kurz MOSHEMTs. Dafür haben sie die Schottky-Barriere des klassischen HEMTs durch ein Oxid ersetzt. Entstanden ist ein Transistor, der noch kleinere und leistungsfähigere Bauteile ermöglicht und bereits eine Rekordfrequenz von 640 GHz erreicht hat. Diese Technologie soll die Elektronik der nächsten Generation voranbringen.

Hocheffiziente Leistungshalbleiter sollen die Voraussetzungen für vielfältige neue Anwendungen schaffen – von der Elektromobilität bis hin zur Künstlichen Intelligenz (KI). Darauf zielt das kürzlich gestartete Projekt »Leistungstransistoren auf Basis von Aluminiumnitrid (AlN) (ForMikro-LeitBAN)« ab, an dem auch die FMD-Mitglieder Fraunhofer IISB und Leibniz FBH beteiligt sind.

Am 17. Mai 1904 fand an der Kölner Hohenzollernbrücke ein öffentliches Experiment statt, das fortan als Meilenstein der internationalen Wissenschaft in die Geschichte eingehen sollte. Dem Erfinder Christian Hülsmeyer gelang es an diesem Tag erstmals, auf dem Rhein fahrende Schiffe anhand von Reflexionen hochfrequenter elektromagnetischer Wellen zu erkennen: Es war die Geburtsstunde des Radars.