Halbleiterbasierte Technologien

Fertigungstechnologien für die 3-nm-Halbleitertechnologie

09. November 2020

Für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik gilt es, neue Fertigungstechnologien zu entwickeln. Dafür sollen im europäischen Projekt »PIN3S« Verfahren zur Herstellung von ICs mit Leitungsbahnabständen von nur 3 nm erarbeitet werden.

© Fraunhofer IIS / EAS
Ziel des Projekts PIN3S ist die defektfreie Herstellung hochpräziser Masken für die Waferproduktion.

Diese integrierten Schaltungen gelangen nahe an die Grenze des physikalisch Machbaren. Sie werden in ihrer Leistungsfähigkeit heutige Schaltkreise deutlich übertreffen und so Anwendungen mit besonders hoher Rechenleistung ermöglichen. Im autonomen Fahren, maschinellen Lernen oder in großen Datenzentren können sie zu Entwicklungssprüngen beitragen. Um solche Strukturen für Hochleistungscomputerchips zuverlässig herstellen zu können, sind Innovationen in allen Aspekten der Fertigung und der zugehörigen Messtechnik nötig.

In PIN3S werden solche neuartigen Technologien erstmals in einer Pilotfertigungslinie zusammengebracht und evaluiert. Ein zusätzlicher Fokus liegt auf der Weiterentwicklung der Infrastruktur für eine defektfreie Herstellung hochpräziser Masken für die Waferproduktion, die als Vorlage für die zu fertigenden Strukturen dienen.

Das Fraunhofer IIS / EAS wird im Rahmen der deutschen Projektbeteiligung ein Sensorik- Modul zur Messdatenerfassung für die Waferbelichtung mit extrem ultra-violetter Strahlung (EUVL) entwickeln.